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BL-HE-DH261霍尔开关

01.BL-HE-DH261是一个锁存型的霍尔效应开关IC,采用先进的BiCMOS制程制造,具有优异的温度稳定性和很高的抗机械应力性能,产品最高工作温度可以达到125℃。BL-HE-DH261采用动态失调消除技术以及芯进电子专利保护的温度补偿技术,大幅降低了由于封装应力,环境温度变化等因素造成的失调电压,使产品磁灵敏度持高度的一致性。02. BL-HE-DH261包含稳压输出模块,霍尔薄片,信号放

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01.BL-HE-DH261是一个锁存型的霍尔效应开关IC,采用先进的BiCMOS制程制造,具有优异的温度稳定性和很高的抗机械应力性能,产品最高工作温度可以达到125℃。BL-HE-DH261采用动态失调消除技术以及芯进电子专利保护的温度补偿技术,大幅降低了由于封装应力,环境温度变化等因素造成的失调电压,使产品磁灵敏度持高度的一致性。


02. BL-HE-DH261包含稳压输出模块,霍尔薄片,信号放大模块,动态失调消除模块以及带有限流保护的功率输出级。当磁场南极靠近BL-HEDH261TO标识面,磁场强度达到阈值时,功率管导通,输出低电平。当磁场北极靠近BL-HE-DH261TO标识面,磁场强度达到阈值时,功率管截止,输出高电平。内置的稳压输出电路模块可以让芯片工作在2.5V至28V电源电压范围。

    

03.BL-HE-DH261提供TO-92S和TSOT23-3两种封装,均为符合RoHS规范,产品的使用环境温度范围为-40~125℃。



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